Logowanie

Ukryj panel

Strona główna
MRT Net
Reklama
Logowanie
Nick :
Hasło :
 Zapisz
Rejestracja
Zgubiłeś hasło ?

Kamerki internetowe.

Panel sterowania
MRT Net
Aktualności
Artykuły
Archiwum
Czas na narty !
Czas na rower !
Zwiedzaj Kraków
Plikownia
Linki
Kalendarz
Galeria
Radio Online
Gry Online
Twój YouTube!
Ankiety
Newsletter
RSS
Księga gości
Wyszukiwarka
Kontakt

Reklama
MRT Net

40% zniżki karnet w PKL.

Partnerzy

Wyszukiwarka
Zaawansowane szukanie

Chmura Tag'ów
Microsoft Programy Samsung Wave Android Bada Aktualności Linki Nowości Informacje Fotografia T-Mobile Technologie Adobe Specyfikacje Galaxy Premiera Zapowiedzi Intel Nvidia Kraków Architektura Biotechnologia Chip System Nawigacja Galileo Gps Windows Linux Galeria Software Hardware Top 500 Superkomputery Serwer Wirtualizacja Flash Pamięci Internet Plikownia YouTube Gry Radio Amd Panasonic Nokia Nikon Sony OS Cloud Computing Red Hat Enterprise Toshiba LTE 4G Lockheed Martin Motorola IBM Internet Explorer 11 Grafen Wirtualna Mapa Krakowa Lamusownia Kraków DVB-T2 TeamViewer 13.0 Fifa 2018 Trasy rowerowe Pro Evolution Soccer 2018 Mozilla Firefox Pity 2017 Rakiety NSM Windows 8 Sony Xperia Tablet S LEXNET Samsung Galaxy S9 Dworzec Główny Kraków PKP Windows Phone Windows 10 Microsoft Lumia 950



  Tranzystor, który umożliwi stworzenie nowej pamięci.
Artykul
Kategoria : Nowe technologie
Dodany : 24.01.2011 14:53
Komentarze : 0



Stworzony przez naukowców z North Carolina State University tranzystor umożliwi stworzenie pamięci, która może działać albo w trybie powolnej pamięci nieulotnej (jak dyski SSD), albo szybkie pamięci ulotnej (jak RAM).

Stosowana do tej pory w komputerach i innych urządzeniach elektronicznych pamięć dzieliła się na dwa rodzaje. Pierwszy to szybko działająca pamięć ulotna, która pozwala urządzeniom na szybką pracę, ale której zawartość jest tracona w momencie, kiedy zostanie utracone zasilanie. Drugi to działająca wolniej, ale nie wymagająca zasilania pamięć nieulotna (pamięć NAND flash), stosowana do przechowywania danych w urządzeniach takich jak pamięci USB, smartfony czy dyski SSD.

Stworzony przez zespół z North Carolina State University nowy rodzaj pamięci łączy możliwość działania jako pamięć nieulotna z możliwością pracy jako szybka pamięć ulotna. Cytując prof. Paula Franzona, jednego z autorów artykułu opisującego badania zespołu:

Wynaleźliśmy nowe urządzenie, które może zrewolucjonizować pamięć komputerową. Nasze urządzenie to tranzystor polowy z podwójną bramką pływającą. Istniejąca pamięć nieulotna stosowana w pamięciach masowych wykorzystuje pojedynczą bramkę pływającą, w której przechowywany jest ładunek oznaczający 1 lub 0 - czyli jeden bit informacji. Dzięki zastosowaniu dwóch bramek pływających, urządzenie może zapisać bit w trybie nieulotnym, i/lub może również zapamiętać bit w szybkim, ulotnym trybie, jak normalna pamięć operacyjna w komputerze.

Zastosowanie pamięci podwójnego działania pozwoliłoby komputerom na natychmiastowy rozruch bez konieczności bateryjnego podtrzymywania pamięci, jak w laptopach w trybie standby, powinno również umożliwić zmniejszenie zapotrzebowania na energię przez wielkie farmy serwerów, które teraz muszą pracować pełną parą nawet przy niewielkim obciążeniu, ponieważ nie mogą wyłączyć zasilania pamięci. Nowa pamięć pozwoliłaby w takiej sytuacji wyłączyć część pamięci serwera kiedy nie będzie potrzebna bez wpływu na ich wydajność.

źródło: science daily
  



^ Wróć do góry ^
Powered by MRT Net 2004-2021.