Stworzony przez naukowców z North Carolina State University tranzystor umożliwi stworzenie pamięci, która może działać albo w trybie powolnej pamięci nieulotnej (jak dyski SSD), albo szybkie pamięci ulotnej (jak RAM).
Stosowana do tej pory w komputerach i innych urządzeniach elektronicznych pamięć dzieliła się na dwa rodzaje. Pierwszy to szybko działająca pamięć ulotna, która pozwala urządzeniom na szybką pracę, ale której zawartość jest tracona w momencie, kiedy zostanie utracone zasilanie. Drugi to działająca wolniej, ale nie wymagająca zasilania pamięć nieulotna (pamięć NAND flash), stosowana do przechowywania danych w urządzeniach takich jak pamięci USB, smartfony czy dyski SSD.
Stworzony przez zespół z North Carolina State University nowy rodzaj pamięci łączy możliwość działania jako pamięć nieulotna z możliwością pracy jako szybka pamięć ulotna. Cytując prof. Paula Franzona, jednego z autorów artykułu opisującego badania zespołu:
Wynaleźliśmy nowe urządzenie, które może zrewolucjonizować pamięć komputerową. Nasze urządzenie to tranzystor polowy z podwójną bramką pływającą. Istniejąca pamięć nieulotna stosowana w pamięciach masowych wykorzystuje pojedynczą bramkę pływającą, w której przechowywany jest ładunek oznaczający 1 lub 0 - czyli jeden bit informacji. Dzięki zastosowaniu dwóch bramek pływających, urządzenie może zapisać bit w trybie nieulotnym, i/lub może również zapamiętać bit w szybkim, ulotnym trybie, jak normalna pamięć operacyjna w komputerze.
Zastosowanie pamięci podwójnego działania pozwoliłoby komputerom na natychmiastowy rozruch bez konieczności bateryjnego podtrzymywania pamięci, jak w laptopach w trybie standby, powinno również umożliwić zmniejszenie zapotrzebowania na energię przez wielkie farmy serwerów, które teraz muszą pracować pełną parą nawet przy niewielkim obciążeniu, ponieważ nie mogą wyłączyć zasilania pamięci. Nowa pamięć pozwoliłaby w takiej sytuacji wyłączyć część pamięci serwera kiedy nie będzie potrzebna bez wpływu na ich wydajność.
Ukryj panel
